就普通照明而言，LED技術(shù)已經(jīng)可以滿足生產(chǎn)高品質(zhì)燈具的要求，但是具體生產(chǎn)高品質(zhì)LED燈具時(shí)，則需要掌握電力電子學(xué)、光學(xué)和熱管理學(xué)等三個(gè)領(lǐng)域的知識(shí)。很少有同時(shí)精通於三個(gè)領(lǐng)域的工程師，而如果電源工程師還負(fù)責(zé)係統(tǒng)架構(gòu)時(shí)，他多半會(huì)將更多精力放在控製輸出電流的度上。毫無(wú)疑問(wèn)，度非常重要，但當(dāng)我們的終產(chǎn)品是一個(gè)燈具時(shí)，它發(fā)出的光的品質(zhì)才是我們所關(guān)心的重點(diǎn)所在。本文重點(diǎn)探討了如何對(duì)LED驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)行嚴(yán)格控製，因?yàn)楫?dāng)我們關(guān)心輸出光品質(zhì)時(shí)，對(duì)LED驅(qū)動(dòng)電流的控製將會(huì)成為影響LED電源成本的重要因素。

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

功能簡(jiǎn)介：

1 勵(lì)磁特性試驗(yàn)

2 變比試驗(yàn)

3 相位和極性試驗(yàn)

4 CT一次電流及負(fù)荷時(shí)的比差、角差測(cè)量

5 CT二次繞組電阻測(cè)量

6 CT二次回路負(fù)荷測(cè)量

7 CT暫態(tài)特性測(cè)試與

8 CT升流試驗(yàn)

9 測(cè)量校核型號(hào)的CT、PT，包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等.

10 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值係數(shù)、儀表保安係數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁係數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測(cè)量.

自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準(zhǔn)確限值係數(shù)（ALF）、 儀表保安係數(shù)（FS）、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁係數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。電動(dòng)汽車(chē)逆變器用於控製汽車(chē)主電機(jī)為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力，IG功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IG性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與工業(yè)通用變頻器、風(fēng)能太陽(yáng)能逆變器的驅(qū)動(dòng)電路有更為苛刻的技術(shù)要求，其中的電源電路受到空間尺寸小、工作溫度高等限製，麵臨諸多挑戰(zhàn)。本文設(shè)計(jì)一種驅(qū)動(dòng)供電電源，並通過(guò)實(shí)際測(cè)試證明其可用性。常見(jiàn)的驅(qū)動(dòng)電源采用反激電路和單原邊多副邊的變壓器進(jìn)行設(shè)計(jì)。由於反激電源在開(kāi)關(guān)關(guān)斷期間才向負(fù)載提供能量輸出的固有特性，使得其電流輸出特性和瞬態(tài)控製特性相對(duì)來(lái)說(shuō)都比較差。

技術(shù)參數(shù)：

輸出電壓：0~180V (RMS)
■ 輸出電流：0~12A，峰值36A
■ 電壓測(cè)量：準(zhǔn)確度 ±0.1%
■ CT變比測(cè)量範(fàn)圍：1~30000
■ PT變比測(cè)量範(fàn)圍：1~30000華能互感器綜合儀 HN12F互感器校驗(yàn)儀半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓製造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝後測(cè)試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控製測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey後，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。