Simplelink傳感器控製器是的16位處理單元(CPU)核心，在活動模式、待機(jī)模式和啟動耗能階段均隻消耗極低功率。如圖2所示，該傳感器控製器包括模擬和數(shù)字外圍設(shè)備，它們專為實現(xiàn)功率而進(jìn)行了優(yōu)化。利用這些外圍設(shè)備和2MHz時鐘模式，使得該控製器非常適合感應(yīng)式測量應(yīng)用，從而實現(xiàn)功率：，基於感應(yīng)式測量原則，可以在100Hz時達(dá)到低至3.9μA的平均電流消耗值。欲了解詳情，請參閱流量表應(yīng)用示例，閱讀“采用CC13x2R無線MCU的單芯片流量表解決方案。
HN6000A四通道變頻抗乾擾高壓介質(zhì)損耗測試儀  遠(yuǎn)見 青島華能HN6000 介質(zhì)損耗測試儀 三相變比組彆測試儀

   該儀器可用正、反接線方法測量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備。可以測量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用於電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測量。

抗乾擾介損自動測試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、準(zhǔn)確度：
    Cx: ±（讀數(shù)×1%+1pF）
    tg: ±（讀數(shù)×1%+0.00040）
    2、抗乾擾指標(biāo)： 變頻抗乾擾，在200%乾擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
    3、電容量範(fàn)圍：
    內(nèi)施高壓： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV
    外施高壓： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV
    分辨率： 更高0.001pF，4位有效數(shù)字
    4、tg範(fàn)圍： 不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動識彆。
    5、試驗電流範(fàn)圍：10μA～1A
    6、內(nèi)施高壓： 
    設(shè)定電壓範(fàn)圍：0.5～10kV
    輸出電流：200mA
    升降壓方式： 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
    試驗頻率：
    45、50、55、60、65Hz單頻     
    45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動雙變頻無論是實驗室環(huán)境還是生產(chǎn)車間，都需要采用更的半導(dǎo)體測試方法。半導(dǎo)體測試是NI的戰(zhàn)略重點。我們正在擴(kuò)展我們的軟件平臺和PXI功能，以幫助芯片製造商應(yīng)對他們麵臨的挑戰(zhàn)，這一點通過NI的PXISMU可以完全體現(xiàn)出來?！庇伸镀涓咄掏铝俊⒏咝詢r比和占地麵積小，NI的半導(dǎo)體測試係統(tǒng)(STS)正在快速應(yīng)用到芯片生產(chǎn)中。全新的PXIe-4163SMU則進(jìn)一步增強(qiáng)了這些功能，它能提供更高的直流通道密度，使多站點應(yīng)用具有更高的並行性，以及在生產(chǎn)中提供實驗室級彆的測量質(zhì)量。
    頻率準(zhǔn)度： ±0.01Hz
    7、外施高壓：
    正接線時試驗電流1A，工頻或變頻40-70Hz
    反接線時試驗電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz
    8、CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30A遠(yuǎn)見 青島華能HN6000 介質(zhì)損耗測試儀 三相變比組彆測試儀對於極性大、脂溶性差物質(zhì),在YWGCl8柱上不易保留,用十二烷基磺酸鈉作為離子對試劑,降低其極性,延長柱上的保留時間,取得較好的分離較果。將液相色譜和質(zhì)譜這兩個強(qiáng)有力的技術(shù)在線連接在一起,經(jīng)過三十年的發(fā)展已成為一項較為成熟的手段,但是它從形成伊始就存在著問題:從液相色譜流進(jìn)質(zhì)譜時,流動相的變化、溶劑的組成、高溫高壓離子化的問題製約著這種聯(lián)用技術(shù)發(fā)展,大氣壓離子化接口具有去除溶劑和離子化的雙重功效,它的引入,使得該技術(shù)在各個領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。