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目前,市場(chǎng)上的白光LED光衰可能是向民用照明進(jìn)軍的要問(wèn)題之一。四LED燈具散熱器檢測(cè)LED燈具散熱器表麵的溫度分,如圖:多熱管散熱結(jié)構(gòu),對(duì)LED燈具進(jìn)行散熱,通過(guò)熱圖對(duì)散熱散熱性能一目了然。品質(zhì)管理一半導(dǎo)體照明吹製燈泡均勻性,通過(guò)紅外熱像儀抓拍產(chǎn)線玻璃吹泡的過(guò)程,進(jìn)行參數(shù)修正,改善掐口工藝,可以有效提高產(chǎn)品成品率,降低成本。二LED檢測(cè)芯片封裝前的溫度LED檢測(cè)芯片封裝前的溫度LED芯片封裝前檢測(cè)溫度可以避免封裝後因溫度異常,降低廢品率。
HN6000A四通道變頻抗乾擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀 遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000 異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 全自動(dòng)變比組彆測(cè)試儀
該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備??梢詼y(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用於電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。
抗乾擾介損自動(dòng)測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
1、準(zhǔn)確度:
Cx: ±(讀數(shù)×1%+1pF)
tg: ±(讀數(shù)×1%+0.00040)
2、抗乾擾指標(biāo): 變頻抗乾擾,在200%乾擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
3、電容量範(fàn)圍:
內(nèi)施高壓: 3pF~60000pF/10kV 60pF~1μF/0.5kV
外施高壓: 3pF~1.5μF/10kV 60pF~30μF/0.5kV
分辨率: 更高0.001pF,4位有效數(shù)字
4、tg範(fàn)圍: 不限,分辨率0.001%,電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)彆。
5、試驗(yàn)電流範(fàn)圍:10μA~1A
6、內(nèi)施高壓:
設(shè)定電壓範(fàn)圍:0.5~10kV
輸出電流:200mA
升降壓方式: 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
試驗(yàn)頻率:
45、50、55、60、65Hz單頻
45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻無(wú)線充電技術(shù)前期主要是應(yīng)用在的充電中。目前在電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)上無(wú)線充電技術(shù)也得到了應(yīng)用。各大車(chē)場(chǎng)在幾年前就開(kāi)始著手研究汽車(chē)的無(wú)線充電技術(shù)。從具體的技術(shù)原理及解決方案來(lái)說(shuō),目前無(wú)線充電技術(shù)主要有電磁感應(yīng)式、磁共振式、無(wú)線電波式、電場(chǎng)耦合式四種基本方式。這幾種技術(shù)分彆適用於近程、中短程與遠(yuǎn)程電力傳送。這幾種方式的比較如下圖所示。對(duì)於無(wú)線充電技術(shù)的應(yīng)用,其實(shí)各大廠商已經(jīng)先後推出了支持無(wú)線充電的電動(dòng)汽車(chē)。早在2013年,日產(chǎn)便選擇旗下銷(xiāo)量的純電動(dòng)汽車(chē)聆風(fēng)作為推廣無(wú)線充電技術(shù)的車(chē)型。
頻率準(zhǔn)度: ±0.01Hz
7、外施高壓:
正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A,工頻或變頻40-70Hz
反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A,工頻或變頻40-70Hz
8、CVT自激法低壓輸出:輸出電壓3~50V,輸出電流3~30A遠(yuǎn)見(jiàn) 青島華能HN6000 異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀 全自動(dòng)變比組彆測(cè)試儀我們能看到細(xì)節(jié)了。會(huì)以全內(nèi)存的數(shù)據(jù)為依據(jù)進(jìn)行ZDS示波器的一大特點(diǎn)就是深存儲(chǔ),而固定的範(fàn)圍會(huì)製約這一特點(diǎn)的應(yīng)用,導(dǎo)致深存儲(chǔ)時(shí)大部分的數(shù)據(jù)都不能用於。在新特性中,這情況將改變,我們可以把存儲(chǔ)深度設(shè)置成很大,係統(tǒng)會(huì)根據(jù)協(xié)議波特率等特點(diǎn)動(dòng)態(tài)的調(diào)整範(fàn)圍,的情況我們會(huì)將範(fàn)圍拓展到整個(gè)內(nèi)存,並且這種特性是在Run和Stop模式中都可以使用,不再局限於Stop!全內(nèi)存我們將存儲(chǔ)深度設(shè)置為28M,此時(shí)整個(gè)內(nèi)存中數(shù)據(jù)的時(shí)間跨度為-14ms~14ms。