HNDL800 JP櫃 配電箱溫升試驗(yàn)係統(tǒng) 配電箱多回路溫升試驗(yàn)裝置HNDL 大電流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn) 

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059用於箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開關(guān)櫃進(jìn)行試驗(yàn)的要求。反射係數(shù)法是通過測(cè)量漏蘭姆波的頻散曲線來確定材料的性質(zhì),但測(cè)量難度較大。傅裡葉變換隻能處理線性非平穩(wěn)的信號(hào)。小波變換法雖然在理論上能處理非線性非平穩(wěn)信號(hào),但是同傅裡葉變換、短時(shí)傅裡葉變換法一樣,都受Heisenberg測(cè)不準(zhǔn)原理製約,即時(shí)間窗口與頻率窗口的乘積為一個(gè)常數(shù),這就意味著如果要提高時(shí)間精度就得犧牲頻率精度,反之亦然。當(dāng)蘭姆波中不同模態(tài)的頻率比較接近時(shí),不適用小波變換處理信號(hào)。動(dòng)態(tài)光彈法能從Lamb波的應(yīng)力分布觀察到傳播和頻散,但是在實(shí)際檢測(cè)中對(duì)硬件要求較高。

1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流：AC範(fàn)圍 0到額定電流，連續(xù)可調(diào)， 且該輸出電流為真有效值（指負(fù)載被試開關(guān)櫃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件， 可輸出的電流有效值， 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求）

輸出波形：標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率： 50Hz （+5%， -2%）

輸出電壓：0-6V，且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間：大電流輸出不少於24小時(shí)

輸出相數(shù)：三相  多路

容性負(fù)載過大如中的電路所示，一個(gè)3W的模塊，輸出使用了2uF的電容，而通過查閱產(chǎn)品手冊(cè)了解到，模塊建議輸出電容為8uF。輸出電容過大可能導(dǎo)致啟動(dòng)，而對(duì)於不帶短路保護(hù)的微功率DC-DC模塊，輸出電容過大甚至可能導(dǎo)致模塊損壞。接開關(guān)電源芯片，注意啟動(dòng)如所示，電源模塊的輸出電壓是逐漸建立的，電路的LM2576冇有設(shè)計(jì)欠壓鎖定，在VIN電壓較低時(shí)即開始啟動(dòng)，若OUT負(fù)載過重，可能被24V模塊誤判為短路或容性負(fù)載過大，從而導(dǎo)致啟動(dòng)。

1.3 恒流源配置列表：（按照客戶具體需求配置）

配電箱多回路溫升試驗(yàn)裝置HNDL 大電流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)便攜式設(shè)備所采用的IC器件大多是高集成度、小體積產(chǎn)品，精密的加工工藝使矽晶氧化層非常薄，因而更易擊穿，有的在2V左右就會(huì)受到損傷。傳統(tǒng)的保護(hù)方法已不再普遍適用，有的甚至還會(huì)造成對(duì)設(shè)備性能的乾擾。TVS二極管的特點(diǎn)可用於便攜式設(shè)備的ESD保護(hù)器件有很多，設(shè)計(jì)人員可用分立器件搭建保護(hù)回路，但由於便攜設(shè)備對(duì)於空間的限定以及避免回路自感，這種方法已逐漸被更加集成化的器件所替代。多層金屬氧化物器件、陶瓷電容還有二極管都可以有效地進(jìn)行防護(hù)，它們的特性及表現(xiàn)各有不同，TVS二極管在此類應(yīng)用中的特表現(xiàn)為其贏得了越來越大的市場(chǎng)。