HNDL800 JP櫃 配電箱溫升試驗(yàn)係統(tǒng) JP櫃溫升測(cè)試儀HNDL 直流開(kāi)關(guān)試驗(yàn)電源 容量大 定製定做 

聯(lián)係人車(chē)高平13608980122/15689901059用於箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿(mǎn)足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)櫃進(jìn)行試驗(yàn)的要求?？煽匚鶛z測(cè)方案電控係統(tǒng)長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行後，電發(fā)動(dòng)機(jī)會(huì)出現(xiàn)跳閘等故障。基於此，對(duì)可控矽性能好壞進(jìn)行檢測(cè)，對(duì)於係統(tǒng)的日常維護(hù)、保證正常運(yùn)轉(zhuǎn)具有十分重要的意義。通常對(duì)電氣設(shè)備的檢測(cè)設(shè)備及方法有萬(wàn)用表、漏電儀、搖表，另外，還可以利用示波器觀測(cè)導(dǎo)通電流以判斷可控矽導(dǎo)通情況。在實(shí)際生產(chǎn)中，僅采用萬(wàn)用表無(wú)法判斷可控矽的故障。下麵對(duì)幾種檢測(cè)方法進(jìn)行對(duì)比，以得出可控矽檢測(cè)的方法。漏電儀檢測(cè)法（耐壓試驗(yàn)）采用大電流發(fā)生器（簡(jiǎn)稱(chēng)升流器）對(duì)可控矽K兩極之間進(jìn)行漏電試驗(yàn)。

1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流：AC範(fàn)圍 0到額定電流，連續(xù)可調(diào)， 且該輸出電流為真有效值（指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)櫃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件， 可輸出的電流有效值， 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿(mǎn)足工作時(shí)間要求）

輸出波形：標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率： 50Hz （+5%， -2%）

輸出電壓：0-6V，且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間：大電流輸出不少於24小時(shí)

輸出相數(shù)：三相  多路

其中人為的EMI乾擾源，如雷達(dá)、導(dǎo)航、通信等設(shè)備的無(wú)線(xiàn)電發(fā)射信號(hào)，會(huì)在電源線(xiàn)上和電子設(shè)備的連接電纜上感應(yīng)出電磁乾擾信號(hào)，電動(dòng)旋轉(zhuǎn)機(jī)械和點(diǎn)火係統(tǒng)，會(huì)在感性負(fù)載電路內(nèi)產(chǎn)生瞬態(tài)過(guò)程和輻射噪聲乾擾；還有自然乾擾源，比如雷電放電現(xiàn)象和宇宙中天電乾擾噪聲，前者的持續(xù)時(shí)間短但能量很大，後者的頻率範(fàn)圍很寬。另外電子電路元器件本身工作時(shí)也會(huì)產(chǎn)生熱噪聲等。這些電磁乾擾噪聲，通過(guò)輻射和傳導(dǎo)耦合的方式，會(huì)影響在此環(huán)境中運(yùn)行的電子設(shè)備的正常工作。

1.3 恒流源配置列表：（按照客戶(hù)具體需求配置）