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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:?jiǎn)误w蓄電池充電放電測(cè)試儀 HN1016B 直流係統(tǒng)接地故障測(cè)試儀定製定做

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡(jiǎn)單介紹:
適用於JP櫃,配電箱溫升試驗(yàn),電力係統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用於開(kāi)關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。單體蓄電池充電放電測(cè)試儀 HN1016B 直流係統(tǒng)接地故障測(cè)試儀定製定做
詳情介紹:

HN1015A蓄電池充放電,活化測(cè)試儀 單體蓄電池充電放電測(cè)試儀 HN1016B 直流係統(tǒng)接地故障測(cè)試儀定製定做

單體蓄電池充電放電測(cè)試儀 HN1016B 直流係統(tǒng)接地故障測(cè)試儀定製定做

本儀器是針對(duì)整組蓄電池係列測(cè)試,不同規(guī)格型號(hào)對(duì)整組要求不同,具體根據(jù)儀表為準(zhǔn)。單體電池電壓為2V\12V(根據(jù)具體指標(biāo)定)的鉛酸蓄電池組進(jìn)行測(cè)試的儀器。

測(cè)試步驟介紹但也不排除由於浮子導(dǎo)向桿與止動(dòng)環(huán)不同心,造成浮子卡死。處理時(shí)可將儀表拆下,將變形的止動(dòng)器取下整形,並檢查與導(dǎo)向桿是否同心,如不同心可進(jìn)行校正,然後將浮子裝好,手推浮子,感覺(jué)浮子上下通暢無(wú)阻卡即可,另外,在浮子流量計(jì)安裝時(shí)一定要垂直或水平安裝,不能傾斜,否則也容易引起卡表並給測(cè)量帶來(lái)誤差。測(cè)量誤差大安裝不符合要求;對(duì)於垂直安裝浮子流量計(jì)要保持垂直,傾角不大於20度;對(duì)於水平安裝浮子流量計(jì)要保持水平,傾角不大於20度;浮子流量計(jì)周圍100mm空間不得有鐵磁性物體;安裝位置要遠(yuǎn)離閥門變徑口、泵出口、工藝管線轉(zhuǎn)彎口等。

1.4.1在線監(jiān)測(cè)測(cè)試:

步:連接單體電壓采集器。(詳見(jiàn)章節(jié)2.4)

步:把整組電壓測(cè)試線連接到電池組兩端。(詳見(jiàn)章節(jié)2.5)

步:插入電源,主機(jī)開(kāi)機(jī)。

第四步:進(jìn)入在線監(jiān)測(cè)參數(shù)設(shè)置。(詳見(jiàn)章節(jié)3.1)

第五步:“確定”開(kāi)始測(cè)試。

1.4.2 放電測(cè)試:單體蓄電池充電放電測(cè)試儀 HN1016B 直流係統(tǒng)接地故障測(cè)試儀定製定做摩爾定律美國(guó)人高登摩爾提出摩爾定律,即微處理器的速度每18個(gè)月翻一翻。這意味著同等價(jià)位的微處理器速度會(huì)變得越來(lái)越快,同等速度的微處理器會(huì)變得越來(lái)越便宜。作為迄今為止半導(dǎo)體發(fā)展意義深遠(yuǎn)的摩爾定律,集成電路數(shù)十年的發(fā)展曆程,令人信服地證實(shí)了它的正確性。它並不是嚴(yán)格的物理定律,而是基於一種幾乎不可思議的技術(shù)進(jìn)步現(xiàn)象所做出的總結(jié)。在過(guò)去10年中,摩爾定律所描述的技術(shù)進(jìn)步不斷衝擊著計(jì)算機(jī)工業(yè):晶體管越做越小,芯片性能越來(lái)越高,計(jì)算能力呈指數(shù)增長(zhǎng),生產(chǎn)成本和使用費(fèi)用不斷降低。

步:連接單體電壓采集器(詳見(jiàn)章節(jié)2.4)。純負(fù)載不具此功能

步:放電開(kāi)關(guān),撥到分的位置(防止放電電纜反接,損壞儀器;反接告警提示)。

步:把放電線一端連到主機(jī),另一端連到電池組兩端。(注意紅正黑負(fù))。接反會(huì)告警提示。(詳見(jiàn)章節(jié)2.5)

第四步:把整組電壓測(cè)試線連接到電池組2端。

第五步:插入電源(電池組供電不用接AC220V電源,直接將放電開(kāi)關(guān)撥到合的位置),主機(jī)開(kāi)機(jī)。

第六步:進(jìn)入放電參數(shù)設(shè)置。(詳見(jiàn)章節(jié)3.2)

第七步:將放電開(kāi)關(guān)撥到合的位置(電池組供電省略此步驟)。

第八步:“確定”開(kāi)始測(cè)試。

1.4.3容量快測(cè)(選配功能)單體蓄電池充電放電測(cè)試儀 HN1016B 直流係統(tǒng)接地故障測(cè)試儀定製定做但一般有哪些行之有效的降低紋波噪聲的對(duì)策呢?下麵我們拋磚引玉,簡(jiǎn)單討論常用的八個(gè)方法。電源PCB走線和布局反饋線路應(yīng)避開(kāi)磁性元件、開(kāi)關(guān)管及功率二極管。輸出濾波電容放置及走線對(duì)紋波噪聲至關(guān)重要,如所示,傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中由於到達(dá)每個(gè)電容的阻抗不一樣,所以高頻電流在三個(gè)電容中分配不均勻,改進(jìn)設(shè)計(jì)中可以看出每個(gè)回路長(zhǎng)度相當(dāng)即高頻電流會(huì)均勻分配到每個(gè)電容中。如果PCB是多層板,可以選擇和主電流回路層近一層覆地,覆地可以有效的解決噪聲問(wèn)題,注意,儘量保證覆地的完整性。

步:連接單體電壓采集器(詳見(jiàn)章節(jié)2.4)。

步:放電開(kāi)關(guān),撥到分的位置(防止放電電纜反接,損壞儀器;反接告警提示)。

步:把放電線一端連到主機(jī),另一端連到電池組兩端。(注意紅正黑負(fù))。接反會(huì)告警提示。(詳見(jiàn)章節(jié)2.5)

第四步:把整組電壓測(cè)試線連接到電池組2端。

第五步:插入電源,主機(jī)開(kāi)機(jī)。

第六步:進(jìn)入容量快測(cè)參數(shù)設(shè)置。(詳見(jiàn)章節(jié)3.3)

第七步:將放電開(kāi)關(guān)撥到合的位置。

第八步:“確定”開(kāi)始測(cè)試。按照存儲(chǔ)芯片MicroSD卡供電要求的範(fàn)圍:2.7V-3.6V;不允許超出此範(fàn)圍,否則,芯片在不穩(wěn)定的電壓下工作會(huì)有比較大的風(fēng)險(xiǎn),甚至?xí)?duì)卡片的正常工作帶來(lái)影響。需要考慮的是示波器的設(shè)置,究竟是否需要進(jìn)行20MHZ的帶寬限製?詳細(xì)的使用環(huán)境如下圖所示:如何去測(cè)試“高頻開(kāi)關(guān)電源”噪聲IPAD剛引出來(lái)的那個(gè)端口可以當(dāng)做電源的源端,而通過(guò)後端的外圍模塊後在末端進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候,電源通過(guò)了一段PCB走線,包括一些芯片回路,應(yīng)該存在高頻的噪聲,如果采用20MHZ的帶寬限製,實(shí)際上是將原本屬於模塊的噪聲給濾掉了,為此,我們進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試進(jìn)行驗(yàn)證:步,我先驗(yàn)證IPAD的供電端在工作時(shí)的輸出,如下圖:通過(guò)直接驗(yàn)證IPAD的輸出口的電壓,保證源端的供電是正常的;通過(guò)測(cè)試,我們發(fā)現(xiàn)在源端測(cè)量的電壓值在3.4V(500MHZ帶寬測(cè)量)左右,峰峰值29mV,是非常穩(wěn)定的供電;可以排除源端供電的問(wèn)題,接下來(lái),我們直接在通過(guò)整個(gè)模塊後在MicroSD卡的供電腳SDVCC對(duì)電行測(cè)量,如下圖:當(dāng)我們?cè)趫D片上的點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)在高頻開(kāi)關(guān)電源上有相當(dāng)大的噪聲,使得電壓超出了規(guī)範(fàn)要求的範(fàn)圍,值達(dá)到了3.814V,峰峰值達(dá)854mV;但當(dāng)我們將示波器設(shè)置為20MHZ帶寬的時(shí)候,高頻開(kāi)關(guān)電源變的非常好,完全在供電要求的範(fàn)圍內(nèi);正如在本文開(kāi)頭描述的,在本次高頻開(kāi)關(guān)電源測(cè)試過(guò)程中,已經(jīng)不是高頻開(kāi)關(guān)電源紋波測(cè)量,而應(yīng)該是噪聲。單體蓄電池充電放電測(cè)試儀 HN1016B 直流係統(tǒng)接地故障測(cè)試儀定製定做單體蓄電池充電放電測(cè)試儀 HN1016B 直流係統(tǒng)接地故障測(cè)試儀定製定做

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