由于轉(zhuǎn)子外圓面被制成有均勻分布的齒和槽，故在氣隙和電樞體或渦流環(huán)表面產(chǎn)生疏密相間的磁場(chǎng)，轉(zhuǎn)子被拖動(dòng)旋轉(zhuǎn)時(shí)，電樞體和渦流環(huán)內(nèi)表面上任何一點(diǎn)的磁場(chǎng)產(chǎn)生叫變變化，由此感應(yīng)出“渦流”，在“渦流”和磁場(chǎng)的耦合作用下，在轉(zhuǎn)子上產(chǎn)生制動(dòng)力矩。由于電樞體是通過機(jī)座固定在底板上的，故轉(zhuǎn)子無法帶動(dòng)電樞體旋轉(zhuǎn)，動(dòng)力機(jī)械輸出的功率被轉(zhuǎn)化成電樞體和渦流環(huán)上“渦流”產(chǎn)生的等值熱量，熱量由進(jìn)入電樞體和渦流環(huán)冷卻水槽中持續(xù)不斷的冷卻水及渦流制動(dòng)器自身消耗。
HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀  遠(yuǎn)見 青島華能HN6000 介質(zhì)損耗測(cè)試儀 特種變比組別測(cè)試儀

   該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備?？梢詼y(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。

抗干擾介損自動(dòng)測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、準(zhǔn)確度：
    Cx: ±（讀數(shù)×1%+1pF）
    tg: ±（讀數(shù)×1%+0.00040）
    2、抗干擾指標(biāo)： 變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
    3、電容量范圍：
    內(nèi)施高壓： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV
    外施高壓： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV
    分辨率： 更高0.001pF，4位有效數(shù)字
    4、tg范圍： 不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
    5、試驗(yàn)電流范圍：10μA～1A
    6、內(nèi)施高壓： 
    設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV
    輸出電流：200mA
    升降壓方式： 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
    試驗(yàn)頻率：
    45、50、55、60、65Hz單頻     
    45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻磁傳感器有多種多樣的功能，但要特別指出的是，其中有兩種功能的傳感器可以被廣泛集成到其它電路，那就是霍爾效應(yīng)傳感器和磁通門傳感器?；魻栃?yīng)傳感器能夠可靠地在電磁環(huán)境中運(yùn)行，倍受制造商的推崇與喜愛。常見的應(yīng)用包括油量表，主要用于檢測(cè)油箱中的浮子，同時(shí)它也可用于無刷電機(jī)，檢測(cè)轉(zhuǎn)子位置并對(duì)電流進(jìn)行計(jì)時(shí)。當(dāng)磁傳感器與其它電路集成時(shí)，制造過程無需材料或進(jìn)行處理，有助于降低設(shè)計(jì)成本。與霍爾效應(yīng)傳感器相比，磁通門傳感器則更加敏感，它能夠檢測(cè)到磁場(chǎng)中非常細(xì)微的變化。
    頻率準(zhǔn)度： ±0.01Hz
    7、外施高壓：
    正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A，工頻或變頻40-70Hz
    反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz
    8、CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30A遠(yuǎn)見 青島華能HN6000 介質(zhì)損耗測(cè)試儀 特種變比組別測(cè)試儀“”系統(tǒng)(THAAD)是美國(guó)研制的機(jī)動(dòng)式戰(zhàn)區(qū)彈道防御系統(tǒng)，主要是針對(duì)高空進(jìn)行攔截，采用衛(wèi)星、紅外、雷達(dá)三位一體的綜合預(yù)警方式。能與TMNMD系統(tǒng)相連接，而且射程遠(yuǎn)，防護(hù)區(qū)域大。該系統(tǒng)由攔截彈、車載式發(fā)射架、地面雷達(dá)，以及戰(zhàn)斗管理與指揮、控制、通信、情報(bào)系統(tǒng)等組成。“”系統(tǒng)(THAAD)有兩套核心組件，其一是攔截彈，長(zhǎng)6.17米，彈徑.37米，起飛重量9公斤，速度可達(dá)25米/秒，由助推器、動(dòng)能攔截器(KKV)及整流罩組成。