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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:變頻式互感器測(cè)試儀

  • 產(chǎn)品型號(hào):HN10A
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡(jiǎn)單介紹:
CT勵(lì)磁/直阻/變比/極性/角差/比差試驗(yàn),接CT二次側(cè); PT變比/極性/角差/比差試驗(yàn),接被測(cè)PT一次側(cè)(高壓側(cè)); PT勵(lì)磁/直阻試驗(yàn)時(shí),接被測(cè)PT二次繞組(低壓側(cè))變頻式互感器測(cè)試儀
詳情介紹:

快速傅里葉變換(fastFouriertransform)簡(jiǎn)稱FFT,是利用計(jì)算機(jī)計(jì)算離散傅里葉變換(DFT)的、快速計(jì)算方法的統(tǒng)稱。快速傅里葉變換是1965年由J.W.庫(kù)利和T.W.圖基提出的。采用這種算法能使計(jì)算機(jī)計(jì)算離散傅里葉變換所需要的乘法次數(shù)大為減少,特別是被變換的抽樣點(diǎn)數(shù)N越多,F(xiàn)FT算法計(jì)算量的節(jié)省就越顯著。一直以來(lái),我們接受的教育就是要用FFT來(lái)進(jìn)行頻域信號(hào)的測(cè)試與。工作以后我們利用示波器上的FFT功能進(jìn)行頻域信號(hào)測(cè)試。
HN10A
互感器特性綜合測(cè)試儀變頻式互感器測(cè)試儀

變頻式互感器測(cè)試儀功能簡(jiǎn)介:

測(cè)試互感器:PT、CT(保護(hù)類、計(jì)量類)、伏安特性(勵(lì)磁特性)曲線、自動(dòng)給出點(diǎn)值、自動(dòng)給出5%和10%的誤差曲線、變比測(cè)量、比差測(cè)量、相位(角差)測(cè)量、極性判斷、一次通流測(cè)試、交流耐壓測(cè)試、二次負(fù)荷測(cè)試、二次繞組測(cè)試、鐵心退磁等設(shè)計(jì)的多功能現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)儀器。變頻式互感器測(cè)試儀

技術(shù)參數(shù):

1、工作電源:AC220V±10% 、50Hz

2、設(shè)備輸出:0~2500Vrms, 5Arms(20A峰值)

3、大電流輸出:0~1000A

4、二次繞組電阻測(cè)量范圍:0.1~50Ω

5、二次繞組電阻測(cè)量準(zhǔn)度:≤0.5%、分辨力0.01

6、二次實(shí)際負(fù)荷測(cè)量范圍:5~300VA

7、二次實(shí)際負(fù)荷測(cè)量準(zhǔn)度:≤0.5%±0.1VA光學(xué)心率傳感器的基本結(jié)構(gòu)與運(yùn)行光學(xué)心率傳感器使用四個(gè)主要技術(shù)元件來(lái)測(cè)量心率:光發(fā)射器——通常至少由兩個(gè)光發(fā)射二極管(LED)構(gòu)成,它們會(huì)將光波照進(jìn)皮膚內(nèi)部。光電二極管和模擬前端(AFE)——這些元件捕獲穿戴者折射的光,并將這些模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)用于計(jì)算可實(shí)際應(yīng)用的心率數(shù)據(jù)。加速計(jì)——加速計(jì)可測(cè)量運(yùn)動(dòng),與光信號(hào)結(jié)合運(yùn)用,作為PPG算法的輸入。算法——算法能夠處理來(lái)自AFE和加速計(jì)的信號(hào),然后將處理后的信號(hào)疊加到PPG波形上,由此可生成持續(xù)的、運(yùn)動(dòng)容錯(cuò)心率數(shù)據(jù)和其他生物計(jì)量數(shù)據(jù)。變頻式互感器測(cè)試儀

軟件使用說(shuō)明 

11.1 將配套光盤(pán)放入計(jì)算機(jī)光驅(qū)中,解壓“軟件C盤(pán)根目錄。

11.2,安裝wic_x86_chs.exe”文件,其次,安裝“dotNetFx40_Full_x86_x64.exe”軟件,默認(rèn)安裝地址即可。

11.3安裝完畢后,打開(kāi)“伏安特性”文件夾,選擇打開(kāi)“VATeXing.exe”操作軟件,如圖38即為上位機(jī)操作軟件。

11.4“VATeXing.exe”操作軟件中,下方選擇互感器種類“CT”或“PT”,應(yīng)用語(yǔ)言“中文”或“英文”。

11.5如需生成報(bào)告格式文件,必須載入試驗(yàn)結(jié)果數(shù)據(jù),具體操作方法如下:

a)、將存儲(chǔ)試驗(yàn)數(shù)據(jù)的U盤(pán)連接至計(jì)算機(jī)。

b)、在圖38中選擇打開(kāi)“選擇文件”,出現(xiàn)圖39操作窗口,在圖39中可根據(jù)需要載入所需文件。

c)、試驗(yàn)結(jié)果數(shù)據(jù)說(shuō)明:以“A”為開(kāi)頭的數(shù)據(jù)為勵(lì)磁特性結(jié)果數(shù)據(jù),以“B”為開(kāi)頭的數(shù)據(jù)為變比極性結(jié)果數(shù)據(jù),以“C”為開(kāi)頭的數(shù)據(jù)為負(fù)荷結(jié)果數(shù)據(jù),以“D”為開(kāi)頭的數(shù)據(jù)為直阻結(jié)果數(shù)據(jù)。以“E”為開(kāi)頭的數(shù)據(jù)為角差比差結(jié)果數(shù)據(jù),以“T”為開(kāi)頭的數(shù)據(jù)為暫態(tài)結(jié)果數(shù)據(jù)。

11.6 載入數(shù)據(jù)結(jié)束后,選擇“確定”出現(xiàn)圖40界面,在此界面右上方設(shè)置相應(yīng)參數(shù)后,選擇“生成誤差曲線”則完成所有試驗(yàn)結(jié)果的載入。

11.7 載入完成后,可根據(jù)需要選擇“保存”或打印結(jié)果數(shù)據(jù)。

11.8  選擇“保存”選項(xiàng),則以WORD的形式顯示結(jié)果如圖41。

11.9  如需繼續(xù)加載試驗(yàn)結(jié)果數(shù)據(jù),請(qǐng)先上次載入的數(shù)據(jù)。

有些板上有溫度傳感器測(cè)量環(huán)境溫度,可用編程的方法用一個(gè)簡(jiǎn)單的函數(shù)調(diào)用從該傳感器獲取信息,確保元件在規(guī)定的范圍內(nèi)工作。完全的計(jì)算是非常乏味和令人頭疼的,但是對(duì)整體性做更進(jìn)一步了解則用不著這樣費(fèi)勁。遺憾的是,數(shù)據(jù)采集板還沒(méi)有表明整體性的一個(gè)通用標(biāo)準(zhǔn),實(shí)踐中供應(yīng)商各用不同的方法來(lái)說(shuō)明精度,在的情況下,使用同一術(shù)語(yǔ)的兩個(gè)供應(yīng)商描述的可能是不同的精度度量標(biāo)準(zhǔn),他們的"精度"可能就是從不同的等式中得到。變頻式互感器測(cè)試儀

HN12A變頻式互感器綜合儀CT/PT儀

功能簡(jiǎn)介:

1 勵(lì)磁特性試驗(yàn)

2 變比試驗(yàn)

3 相位和極性試驗(yàn)

4 CT一次電流及負(fù)荷時(shí)的比差、角差測(cè)量

5 CT二次繞組電阻測(cè)量

6 CT二次回路負(fù)荷測(cè)量

7 CT暫態(tài)特性測(cè)試與

8 CT升流試驗(yàn)

9 測(cè)量校核型號(hào)的CT、PT,包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等.

10 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)、儀表保安系數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁系數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測(cè)量.

自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10%誤差曲線、 5%誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)(ALF)、 儀表保安系數(shù)(FS)、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁系數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。

技術(shù)參數(shù):

輸出電壓:0~180V (RMS)
■ 輸出電流:0~12A,峰值36A
■ 電壓測(cè)量:準(zhǔn)確度 ±0.1%
■ CT變比測(cè)量范圍:1~30000
■ PT變比測(cè)量范圍:1~30000變頻式互感器測(cè)試儀后說(shuō)到的頻譜儀通常用在射頻領(lǐng)域,來(lái)觀察和被測(cè)信號(hào)的頻域特性,而我們常用其配合近場(chǎng)來(lái)掃描電磁干擾的功率峰值以及找到其對(duì)應(yīng)的頻點(diǎn),初步判定輻射源屬性。眼看上去這三種儀器用途各不相同,但其實(shí)都可以用來(lái)測(cè)試晶體振蕩電路的頻率。如果使用示波器或者頻率計(jì),配合無(wú)源電壓點(diǎn)測(cè)芯片的時(shí)鐘輸入引腳,就可以測(cè)量到頻率,如下是各部分的電路結(jié)構(gòu):其中:CC2是晶體的負(fù)載電容,影響到頻率、負(fù)性阻抗等電路參數(shù)RC3是無(wú)源電壓的電路參數(shù),R3是9Mohm,C3是幾個(gè)pF不等R是示波器或者頻率計(jì)輸入通道的等效阻抗和電容,R4是1Mohm,是幾十pF不等如果使用頻譜儀,配合近場(chǎng)靠近晶體封裝外殼就可以探測(cè)到輻射功率峰值的頻率,這個(gè)頻率也是晶體電路的振蕩頻率。變頻式互感器測(cè)試儀

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