并且在未加載LDF/SDF文件的情況下，監(jiān)控和記錄LIN總線報(bào)文。除了LINWorks還有Baby-LIN-DLL，用戶可以基于DLL來自己開發(fā)應(yīng)用軟件，Baby-LIN-DLL是基于C/C++的，也提供了LabView的例程，另外也支持C#，VB.net等。下面可以簡單看下Baby-LIN系列產(chǎn)品的工作流程：以下是幾個(gè)典型應(yīng)用：另外，還需要說明的是，德國原廠不再免費(fèi)提供軟件光盤，如果需要可另外付費(fèi)獲取。
HN10A互感器特性綜合測(cè)試儀華能 全自動(dòng)互感器測(cè)試儀 HN10ACP/PT儀 可定制

功能簡介：

測(cè)試互感器：PT、CT（保護(hù)類、計(jì)量類）、伏安特性（勵(lì)磁特性）曲線、自動(dòng)給出點(diǎn)值、自動(dòng)給出5%和10%的誤差曲線、變比測(cè)量、比差測(cè)量、相位（角差）測(cè)量、極性判斷、一次通流測(cè)試、交流耐壓測(cè)試、二次負(fù)荷測(cè)試、二次繞組測(cè)試、鐵心退磁等設(shè)計(jì)的多功能現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)儀器。

技術(shù)參數(shù)：

1、工作電源：AC220V±10% 、50Hz

2、設(shè)備輸出：0～2500Vrms， 5Arms（20A峰值）

3、大電流輸出：0～1000A

4、二次繞組電阻測(cè)量范圍：0.1～50Ω

5、二次繞組電阻測(cè)量準(zhǔn)度：≤0.5%、分辨力0.01

6、二次實(shí)際負(fù)荷測(cè)量范圍：5～300VA

7、二次實(shí)際負(fù)荷測(cè)量準(zhǔn)度：≤0.5%±0.1VA平面低通濾波器簡介隨著現(xiàn)在微波鏈路越來越高頻化，小型化，直接在鏈路中集成低通的現(xiàn)象越來越普遍。同時(shí)很多芯片化的低通也大都是在高介電陶瓷片上實(shí)現(xiàn)的微帶濾波器。陶瓷片型的芯片電容，電感，均衡器都需要用到平面低通的設(shè)計(jì)概念。常見的低通濾波器在ADS中的模型及結(jié)構(gòu)形式見。常見的平面結(jié)構(gòu)低通濾波器三種結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比見表1，通常對(duì)要求比較高的設(shè)計(jì)時(shí)可綜合三種結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行折中設(shè)計(jì)。表1三種結(jié)構(gòu)優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比2.平面低通濾波器設(shè)計(jì)的理論基礎(chǔ)本次總結(jié)的理論基礎(chǔ)來源，核心理論為的高低阻抗線等效電路。

軟件使用說明 

11.1 將配套光盤放入計(jì)算機(jī)光驅(qū)中，解壓“軟件”至C盤根目錄。

11.2，安裝“wic_x86_chs.exe”文件，其次，安裝“dotNetFx40_Full_x86_x64.exe”軟件，默認(rèn)安裝地址即可。

11.3安裝完畢后，打開“伏安特性”文件夾，選擇打開“VATeXing.exe”操作軟件，如圖38即為上位機(jī)操作軟件。

11.4在“VATeXing.exe”操作軟件中，下方選擇互感器種類“CT”或“PT”，應(yīng)用語言“中文”或“英文”。

11.5如需生成報(bào)告格式文件，必須載入試驗(yàn)結(jié)果數(shù)據(jù)，具體操作方法如下：

a）、將存儲(chǔ)試驗(yàn)數(shù)據(jù)的U盤連接至計(jì)算機(jī)。

b）、在圖38中選擇打開“選擇文件”，出現(xiàn)圖39操作窗口，在圖39中可根據(jù)需要載入所需文件。

c）、試驗(yàn)結(jié)果數(shù)據(jù)說明：以“A”為開頭的數(shù)據(jù)為勵(lì)磁特性結(jié)果數(shù)據(jù)，以“B”為開頭的數(shù)據(jù)為變比極性結(jié)果數(shù)據(jù)，以“C”為開頭的數(shù)據(jù)為負(fù)荷結(jié)果數(shù)據(jù)，以“D”為開頭的數(shù)據(jù)為直阻結(jié)果數(shù)據(jù)。以“E”為開頭的數(shù)據(jù)為角差比差結(jié)果數(shù)據(jù)，以“T”為開頭的數(shù)據(jù)為暫態(tài)結(jié)果數(shù)據(jù)。

11.6 載入數(shù)據(jù)結(jié)束后，選擇“確定”出現(xiàn)圖40界面，在此界面右上方設(shè)置相應(yīng)參數(shù)后，選擇“生成誤差曲線”則完成所有試驗(yàn)結(jié)果的載入。

11.7 載入完成后，可根據(jù)需要選擇“保存”或打印結(jié)果數(shù)據(jù)。

11.8  選擇“保存”選項(xiàng)，則以WORD的形式顯示結(jié)果如圖41。

11.9  如需繼續(xù)加載試驗(yàn)結(jié)果數(shù)據(jù)，請(qǐng)先上次載入的數(shù)據(jù)。

線材測(cè)徑儀內(nèi)裝有8組測(cè)頭，每組測(cè)頭由平行光發(fā)射單元和光電子接收單元構(gòu)成。發(fā)射單元內(nèi)含特種LED光源，接收單元即數(shù)據(jù)采集處理系統(tǒng)。測(cè)得的數(shù)據(jù)經(jīng)光纖通信傳輸?shù)缴衔挥?jì)算機(jī)。測(cè)徑儀進(jìn)廠前的準(zhǔn)備根據(jù)預(yù)先的現(xiàn)場(chǎng)位置，按照《測(cè)徑儀布置圖》和《測(cè)徑儀基礎(chǔ)圖》的要求鋪設(shè)基礎(chǔ)，固定軌枕板，軌道可不固定或點(diǎn)焊固定。注意基礎(chǔ)面的平整和穩(wěn)定。經(jīng)過實(shí)地的勘查，確認(rèn)軌道的間距、軌面到軋線中心高度等指標(biāo)均符合設(shè)計(jì)要求，供電、水管道接口均已就緒。

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

功能簡介：

1 勵(lì)磁特性試驗(yàn)

2 變比試驗(yàn)

3 相位和極性試驗(yàn)

4 CT一次電流及負(fù)荷時(shí)的比差、角差測(cè)量

5 CT二次繞組電阻測(cè)量

6 CT二次回路負(fù)荷測(cè)量

7 CT暫態(tài)特性測(cè)試與

8 CT升流試驗(yàn)

9 測(cè)量校核型號(hào)的CT、PT，包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等.

10 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)、儀表保安系數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁系數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測(cè)量.

自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)（ALF）、 儀表保安系數(shù)（FS）、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁系數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。

技術(shù)參數(shù)：

輸出電壓：0~180V (RMS)
■ 輸出電流：0~12A，峰值36A
■ 電壓測(cè)量：準(zhǔn)確度 ±0.1%
■ CT變比測(cè)量范圍：1~30000
■ PT變比測(cè)量范圍：1~30000華能 全自動(dòng)互感器測(cè)試儀 HN10ACP/PT儀 可定制正負(fù)的電壓產(chǎn)生主要取決于參考點(diǎn)的不同，當(dāng)參考點(diǎn)即負(fù)極為低電位，正極為高電位時(shí)產(chǎn)生正電壓，當(dāng)參考點(diǎn)為高電位，正極為低電位時(shí)產(chǎn)生負(fù)電壓。如前文所述，負(fù)電壓的產(chǎn)生主要取決于參考點(diǎn)及參考點(diǎn)的電位。將電源A和電源B以電源的負(fù)極為公共端進(jìn)行串聯(lián)，串聯(lián)后將b端點(diǎn)選定為參考地，將a端點(diǎn)選定為輸出正極，實(shí)際工作時(shí)：1將電源A設(shè)定輸出1V，電源B設(shè)定3V，實(shí)際ab端電壓為7V2將電源A設(shè)定輸出1V，電源B設(shè)定2V，實(shí)際ab端電壓為-1VIT65C系列電源自身具備輸出波形編輯功能（LIST功能），可編輯1步，利用電源串聯(lián)結(jié)合IT65CLIST功能可實(shí)現(xiàn)正負(fù)電壓的連續(xù)切換如下圖波形所示，從而滿足電壓雙象限的工作。