構(gòu)筑更加**的安檢體系，是機(jī)場(chǎng)安檢行業(yè)的持續(xù)追求。毫米波安檢技術(shù)的快速更新和相關(guān)安檢儀產(chǎn)品的不斷迭代，近年來(lái)為該行業(yè)提供了的新應(yīng)用亮點(diǎn)。毫米波安檢儀對(duì)非金屬材料的探測(cè)能力受到廣泛好評(píng)，對(duì)的**性、非接觸性的測(cè)量過(guò)程、和直觀的性能參數(shù)，也受到用戶的積極反響。世界各國(guó)/區(qū)域的民航局積極推出相應(yīng)的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)和許可證，歐洲民航會(huì)議ECAC的版本1和2，美國(guó)交通運(yùn)輸**局TSA的認(rèn)證，以及我國(guó)民航局的民航安檢設(shè)備許可證制度。
HN380B水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)絕緣電阻測(cè)試儀

水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)絕緣測(cè)試儀HN380 2500v變壓器綜合試驗(yàn)系統(tǒng)產(chǎn)品用途
   水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)絕緣電阻測(cè)試儀 于水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)的測(cè)量試驗(yàn)，也可用于試驗(yàn)室或現(xiàn)場(chǎng)做絕緣測(cè)試試驗(yàn)。輸出電流大于75mA。輸出電壓5000V。內(nèi)含微電流測(cè)量系統(tǒng) 、數(shù)字升壓系統(tǒng) 。用一條高壓線和一條信號(hào)線連接試品即可測(cè)量。測(cè)量自動(dòng)進(jìn)行，結(jié)果由大屏幕液晶顯示，并將結(jié)果進(jìn)行存儲(chǔ)。

內(nèi)冷發(fā)電機(jī)絕緣電阻測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    準(zhǔn)確度： ±10%
    測(cè)量范圍：0.1M～200GΩ
    試驗(yàn)電壓：2500V ;5000V  
    短路電流：≧25mA
    測(cè)量時(shí)間：1分鐘～10分鐘（與測(cè)量方式有關(guān)）
    電    源：180～270VAC  ,50Hz/60Hz±1% (市電或發(fā)電機(jī)供電)
    工作環(huán)境：溫度-10～40℃，相對(duì)濕度20～80％在過(guò)去的幾十年里，很少有其它檢測(cè)儀器像光學(xué)投影比較儀那樣測(cè)量快捷、使用方便。光學(xué)投影比較測(cè)量是將投射到投影屏上的工件放大輪廓與繪制有按比例放大的工件正確外形及公差帶的透明膠片進(jìn)行對(duì)比，以直接判定工件合格與否。雖然隨著采用電子技術(shù)、精度更高的幾何形貌測(cè)量技術(shù)的發(fā)展，光學(xué)比較測(cè)量這種簡(jiǎn)單的檢測(cè)方式已顯得有些過(guò)時(shí)，但投影比較儀仍然是生產(chǎn)車(chē)間常用的視覺(jué)檢測(cè)儀器。與此同時(shí)，其它高技術(shù)測(cè)量?jī)x器的測(cè)量能力在不斷提高，如基于攝像機(jī)的視覺(jué)檢測(cè)系統(tǒng)能夠降低操作者的人為誤差，使微小的工件形貌可見(jiàn)和可測(cè)。

HN380B水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)絕緣電阻測(cè)試儀于水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)的測(cè)量試驗(yàn)，同時(shí)也可用于試驗(yàn)室或現(xiàn)場(chǎng)做絕緣測(cè)試試驗(yàn)。輸出電流大于45mA。可達(dá)75mA。輸出電壓2500V和5000V兩檔。內(nèi)含高精度微電流測(cè)量系統(tǒng)、數(shù)字升壓系統(tǒng)。只需要用一條高壓線和一條信號(hào)線連接試品即可測(cè)量。測(cè)量自動(dòng)進(jìn)行，結(jié)果由大屏幕液晶顯示，并將結(jié)果進(jìn)行存儲(chǔ)。

一、主要特點(diǎn)

1． 采用32位微控制器控制，全中文操作界面，操作方便。

2． 適用于測(cè)量水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)的絕緣電阻、吸收比（R60s/R15s）和極化指數(shù)（R10min/R1min）的測(cè)試。自動(dòng)計(jì)算吸收比和極化指數(shù)，可自動(dòng)顯示R15s、R60s、R10min、收比（R60s/R15s）和極化指數(shù)（R10min/R1min）,并自動(dòng)儲(chǔ)存15秒、1分鐘、10分鐘的數(shù)據(jù)便于。，如果您希望測(cè)量表面反射的光量，則在幾kHz下調(diào)制光源將能夠測(cè)量在較低頻率噪聲中嵌入的信號(hào)。展示了信號(hào)調(diào)制在低于噪底和可恢復(fù)測(cè)量方面有多么重要。調(diào)制傳感器激勵(lì)信號(hào)的方法有不少。簡(jiǎn)單的調(diào)制方案是反復(fù)開(kāi)啟和關(guān)閉激勵(lì)信號(hào)。這對(duì)于驅(qū)動(dòng)LED和其他類(lèi)型激勵(lì)(應(yīng)變計(jì)橋加壓)很有效。它尤其適用于很難以電子方式調(diào)制激勵(lì)源(廣泛運(yùn)用于許多波譜儀器的白熾燈)的情況。在此情況下，調(diào)制就如使用機(jī)械調(diào)制盤(pán)對(duì)光進(jìn)行斬波一樣簡(jiǎn)單。

3． 輸出電流大，短路電流大于45mA。輸出電壓2500V和5000V兩檔，可測(cè)高達(dá)2萬(wàn)兆的絕緣電阻。不需對(duì)水極化電勢(shì)進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)節(jié)。（備選）

4． 高壓發(fā)生模塊采用全封閉技術(shù)，內(nèi)部有保護(hù)電阻，**可靠。

5． 抗干擾能力強(qiáng)，能滿足超高壓變電站現(xiàn)場(chǎng)操作。

6． 測(cè)試完畢自動(dòng)放電，并實(shí)時(shí)監(jiān)控放電過(guò)程。

功能及特點(diǎn)二．

 技術(shù)條件及指標(biāo)
1． 電源電壓：AC220 ± 10%
2． 輸出電壓：DC2500V /5000V± 10% 選配項(xiàng)
3． 量 程：0.0000Ω ~ 1000GΩ
4． 環(huán)境溫度：-10℃ ~ +40℃
5． 環(huán)境濕度：≤75%RHUPS電源的工作過(guò)程多且時(shí)間長(zhǎng)，往往需要?jiǎng)佑枚嗯_(tái)示波器和高壓差分同時(shí)測(cè)試，記錄數(shù)據(jù)也相對(duì)比較麻煩，今天給大家一種新的測(cè)試方法，“式”操作，測(cè)試時(shí)間節(jié)省80%。引子在研發(fā)和測(cè)試時(shí)，你是否有過(guò)這樣糟糕的體驗(yàn)：想一次查看四路以上的信號(hào)波形但目前示波器一般多只有四個(gè)通道；接線時(shí)頭疼測(cè)量通道間不隔離，混合接線時(shí)一不小心就燒壞或示波器；受存儲(chǔ)限制，測(cè)試時(shí)需要不停地進(jìn)行開(kāi)始、停止、保存，后再逐個(gè)打開(kāi)查看；如此等等。
6． 測(cè)量精度：0Ω ~ 2000MΩ 10%
              2000MΩ ~ 1000GΩ 10%
7． 電壓紋波：測(cè)試電壓紋波含量不大于3%
9． 測(cè)量方式：實(shí)時(shí)測(cè)量，開(kāi)始每秒鐘進(jìn)行一次測(cè)量顯示；自動(dòng)計(jì)算吸收比、極化指數(shù)。
10. 顯示方式：128X64位液晶顯示被測(cè)電阻值、吸收比、極 化指數(shù)。自動(dòng)顯示測(cè)試時(shí)間。
11.．絕緣電阻：儀表本體與交流電源初級(jí)引線之間的絕緣電阻1000MΩ
12. 負(fù)載能力：

水內(nèi)冷發(fā)電機(jī)絕緣測(cè)試儀HN380 2500v變壓器綜合試驗(yàn)系統(tǒng)半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。