將泄漏電流限制在一個(gè)很小值，這對(duì)提高產(chǎn)品**性能具有重要作用。小功率電器（＜2KW）的泄漏電流可用自帶隔離電源的泄漏電流測(cè)試儀來測(cè)量。泄漏電流測(cè)試儀，用于測(cè)量電器的工作電源（或其它電源）通過絕緣或分布參數(shù)阻抗產(chǎn)生的與工作無關(guān)的泄漏電流。其輸入阻抗模擬阻抗。泄漏電流測(cè)試儀主要由試驗(yàn)電源、阻抗變換、量程轉(zhuǎn)換、交直流轉(zhuǎn)換、指示和聲光報(bào)警電路組成。泄漏電流測(cè)試儀的操作方法插上電源，接通電源開關(guān)，電源指示燈亮；選擇電源量程，按下所需電流按鈕；選擇泄漏電流報(bào)警值；選擇測(cè)試時(shí)間；將被測(cè)物接入測(cè)量端，啟動(dòng)泄漏電流測(cè)試儀，將試驗(yàn)電壓升至被測(cè)物額定工作電壓的1.06倍（或1.1倍），切換相位轉(zhuǎn)換開關(guān)，分別讀取二次讀數(shù)，選取數(shù)值大的讀數(shù)泄漏電流值。
HN7031A全自動(dòng)三相電容電感測(cè)試儀電容電流測(cè)試儀 定制定做 三相變比組別測(cè)試儀

自動(dòng)三相電容電感測(cè)試儀 可以在不拆線的狀態(tài)下，直接測(cè)量成組并聯(lián)電容器的單相電容或組合連接類型的三相電容器，也能夠測(cè)量電抗器的電感，接線簡(jiǎn)單，測(cè)試、記錄方便，大大提高了工作效率。

功能特點(diǎn)
    1、內(nèi)部自帶電馳，自動(dòng)數(shù)字合成產(chǎn)生三相大功率測(cè)試電源，不用外接電源即可使用；
    2、儀器可在不拆線情況下測(cè)量成組并聯(lián)電容器的單個(gè)單相電容及測(cè)量連接類型的三相電容；
    3、可三相同測(cè)或測(cè)量三只并聯(lián)電容器或電抗器；
    4、儀器可以測(cè)量電抗器的電感量；
    5、儀器可以測(cè)量工頻電流的幅值以及電流中2－32次的諧波含量；
    6、儀器可顯示出在測(cè)量電容器或電抗器的過程中測(cè)量的電壓、電流、功率、相位角、阻抗等數(shù)據(jù)，以便更好的問題所在；

在國外，機(jī)器視覺的應(yīng)用普及主要體現(xiàn)在半導(dǎo)體及電子行業(yè)，其中大概4-5%都集中在半導(dǎo)體行業(yè)。具體如：PCB印刷電路：各類生產(chǎn)印刷電路板組裝技術(shù)、設(shè)備；單、雙面、多層線路板，覆銅板及所需的材料及輔料；輔助設(shè)施以及耗材、油墨、藥水藥劑、配件；電子封裝技術(shù)與設(shè)備；絲網(wǎng)印刷設(shè)備及絲網(wǎng)周邊材料等。SMT表面貼裝：SMT工藝與設(shè)備、焊接設(shè)備、測(cè)試儀器、返修設(shè)備及輔助工具及配件、SMT材料、貼片劑、膠粘劑、焊劑、焊料及防氧化油、焊膏、清洗劑等；再流焊機(jī)、波峰焊機(jī)及自動(dòng)化生產(chǎn)線設(shè)備。
HN7033A自動(dòng)電容電流測(cè)試儀

直接從PT的二次側(cè)測(cè)量配電網(wǎng)的電容電流，與傳統(tǒng)的測(cè)試方法相比，該儀器無需和一次側(cè)打交道，因而不存在試驗(yàn)的性，無需做繁雜的安措施和等待冗長(zhǎng)的調(diào)度命令，只需將測(cè)量線接于PT的開口三角端就可以測(cè)量出電容電流的數(shù)據(jù)。

自動(dòng)電容電流測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)
    1、測(cè)量范圍：對(duì)地總電容 ≤120μF（三相對(duì)地）
       電容電流 ≤500A（35kv系統(tǒng) ）
       電容電流 ≤200A（10kv系統(tǒng) ）
    2、測(cè)量精度：0.5μF～5μF   ±10%±50個(gè)字
                 5μF～90μF    ±5%
                 90μF～120μF  ±10%電容電流測(cè)試儀 定制定做 三相變比組別測(cè)試儀大陸封測(cè)產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇摩爾定律由英特爾創(chuàng)始人之一戈登摩爾提出，大致意思為，每隔18-24個(gè)月在價(jià)格不變的情況下，集成電路上可容納的元器件數(shù)目會(huì)翻一倍，性能也將提升一倍。這一定律統(tǒng)治了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)50多年，近些年卻屢屢被預(yù)估將要走向終結(jié)，而者中甚至包括摩爾本人。而這條金科玉律走向末路的佐證之一便是英特爾修改了基于摩爾定律的“Tick-Tock”策略，將這一架構(gòu)和工藝交替升級(jí)策略的研發(fā)周期在時(shí)間上從兩年延長(zhǎng)至三年，制程工藝變?yōu)槿簧?jí)，并且其10nm制程一直跳票。