HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
長(zhǎng)期供應(yīng) 雷沖擊電壓發(fā)生器 串聯(lián)諧振耐壓試驗(yàn)裝置 感應(yīng)耐壓測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

在信號(hào)/頻譜儀上，邊帶噪聲是相位噪聲和幅度噪聲的總和，通常當(dāng)已知調(diào)幅噪聲遠(yuǎn)小于相位噪聲時(shí)(小于10dB以上)，在頻譜儀上讀出的邊帶噪聲即為相位噪聲。在290K環(huán)境溫度下，噪聲功率基底是-174dBm/Hz。由于相位噪聲和調(diào)幅噪聲對(duì)熱噪聲的貢獻(xiàn)是等同的，所以相位噪聲對(duì)熱噪聲的貢獻(xiàn)是-177dBm/Hz，比熱噪聲低3dB。如果載波功率較小，-20dBm，相位噪聲就被限制到-157dBc/Hz（-177dBm/Hz-（-20dBm））。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

利用I1和V34，使所測(cè)得的R幾乎近似于Rb本身，由此可測(cè)定被測(cè)電阻的微小阻值，精度可達(dá)到mΩ級(jí)。所以對(duì)于蓄電池內(nèi)這種毫歐級(jí)別的阻值，一定要使用四線制測(cè)試法保證準(zhǔn)確性。5系列的表筆為什么像兩線制呢？因?yàn)樗挥袃筛砉P，而四線制測(cè)試要求在被測(cè)電阻兩端一共有四個(gè)接觸點(diǎn)，看起來(lái)并不符合要求。但實(shí)際上，5系列的表筆在表針的部分采用了同軸表針的設(shè)計(jì)，巧妙地將檢測(cè)線的接觸點(diǎn)設(shè)計(jì)在內(nèi)圈，激勵(lì)線設(shè)計(jì)在外圈，不僅節(jié)省了空間，使測(cè)試更加容易，更重要的是還原了四線制測(cè)試法，內(nèi)阻測(cè)試的分辨率可達(dá)到.1mΩ。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

而如果C的容值越小，對(duì)電路的影響也就越小。但限于目前的測(cè)試系統(tǒng)，C3和串聯(lián)后的電容值是幾個(gè)pF的級(jí)別，而C1通常是20~30pF，所以儀器對(duì)負(fù)載電容量的影響在10%以上，終會(huì)導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生幾個(gè)ppm（單位，百萬(wàn)分之一）的頻率偏差，通常電路設(shè)計(jì)對(duì)晶體頻偏的要30ppm左右，所以這個(gè)影響還是不能忽視的。但如果使用頻譜儀，配合近場(chǎng)測(cè)試，因?yàn)閮H在空間上有電磁場(chǎng)的耦合，所以儀器的影響可以忽略。