HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
帶通訊 雷電沖擊發(fā)生器 超低頻高壓發(fā)生器 CVT諧振耐壓裝置產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

大氣、云霧煙塵等會(huì)吸收可見(jiàn)光和近紅外線，但是對(duì)于8～14微米(長(zhǎng)波紅外區(qū))的熱紅外線卻是透明的，熱成像攝像卻能有效穿透大氣、云霧等環(huán)境拍攝出清晰的圖像。下面介紹一款熱成像產(chǎn)品的特點(diǎn)。先進(jìn)的探測(cè)器技術(shù)采用一代非制冷紅外焦平面探測(cè)器F_VOx(鐵電氧化釩混合工藝)，高熱靈敏度達(dá)5mK，溫差分辨能力更強(qiáng)，同等條件下可探測(cè)、識(shí)別更細(xì)微的溫差變化。探測(cè)器像元規(guī)格42×315，相比于同檔次探測(cè)有熱圖像畫(huà)面更加清晰、細(xì)致。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

此模式繼承了普通模式的所有優(yōu)點(diǎn)，且改善了水平時(shí)基較大時(shí)，波形輸出太慢的缺點(diǎn)，故被稱為大時(shí)基模式。小提示：當(dāng)時(shí)基較小，邊采樣邊輸出是沒(méi)有意義的，因?yàn)槿搜鄹簧纤⑿碌乃俣?，所以普通模式和大時(shí)基模式一般會(huì)根據(jù)水平時(shí)基自動(dòng)切換。如ZDS2000系列示波器在水平時(shí)基大于等于100ms/div時(shí)，會(huì)自動(dòng)進(jìn)入大時(shí)基模式如.2所示。.2為了更好展示地邊采樣邊輸出，大時(shí)基模式還提供了與上一幀數(shù)據(jù)對(duì)比刷新，讓您更好地觀察輸入信號(hào)的變化如.3所示。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

然而SCMRC結(jié)構(gòu)的阻帶范圍較小(5.2GHz-7.6GHz)，BCMRC則由于在阻帶范圍內(nèi)的衰減特性不理想通常需要幾個(gè)單元來(lái)實(shí)現(xiàn)較好的低通特性。針對(duì)這些問(wèn)題，本文提出了一種新型CMRC寬帶低通濾波器，在-7GHz低通頻率范圍內(nèi)其插入損耗為.3dB,低于-1dB的阻帶頻率范圍為8.5GHz-22.1GHz,低于-2dB阻帶頻率范圍為9GHz-2.8GHz,可見(jiàn)該濾波器在通帶內(nèi)具有很低的插入損耗，并且在阻帶內(nèi)具有良好的衰減特性。