HN8001A三相交直流指示儀表，電測(cè)儀表檢定裝置 交直流采樣檢定裝置 多表位電壓監(jiān)測(cè)儀校驗(yàn)儀 30年經(jīng)驗(yàn) 儀表校驗(yàn)裝置

車高平 13608980122/15689901059

輸出交直流電壓、電流、相位和功率均為高精度、高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)源，軟件校準(zhǔn)。各項(xiàng)輸出均采用動(dòng)態(tài)負(fù)載自動(dòng)調(diào)整技術(shù),降低了負(fù)載調(diào)整率。采用高速交流采樣、高速數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）、復(fù)雜可編程邏輯陣列（CPLD）、大功率集成功放、嵌入式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)而成，將系統(tǒng)、測(cè)試和信號(hào)高度集成，體積小，重量輕，可靠性極高，功能性極強(qiáng)。用于檢測(cè)數(shù)字儀表、指示儀表、電能表、互感器、數(shù)字測(cè)控裝置、變送器、交流采樣裝置

當(dāng)我們用臺(tái)式硬度計(jì)測(cè)量洛氏硬度時(shí)，硬度計(jì)壓頭是金剛石錐體，壓頭（錐頂直徑為0.4毫米）與被測(cè)表面的接觸面積較小。加載時(shí)，壓頭很容易穿透擠壓層，因此硬度的測(cè)量偏差較小。試驗(yàn)證明，測(cè)量偏差一般在5HRC以內(nèi)。用臺(tái)式硬度計(jì)測(cè)量布氏硬度時(shí)，硬度計(jì)壓頭是鋼球壓頭，壓頭與被測(cè)表面的接觸面積較大。加載時(shí)，壓頭必須克服擠壓層的較大阻力才能被測(cè)表面，這就使硬度計(jì)壓頭的量不夠，所壓得的圓形壓痕也隨之變小，致使相應(yīng)的硬度值偏高于其真實(shí)值。
 技術(shù)參數(shù)：

整機(jī)有效精度 0.05級(jí)

交直流電壓輸出

量限：660V、380V、220V、100V、57.735V  

調(diào)節(jié)范圍：(0～120)%RG RG為量限,下同

準(zhǔn)確度：0.05%RG

 交直流電流輸出

量限： 20A、5A、1A、0.2A

調(diào)節(jié)范圍:  (0～120)%RG   RG為量限,下同；

準(zhǔn)確度： 0.05%RG

     交直流采樣檢定裝置 多表位電壓監(jiān)測(cè)儀校驗(yàn)儀 30年經(jīng)驗(yàn) 儀表校驗(yàn)裝置可以看出實(shí)時(shí)頻譜模式下的數(shù)字熒光頻譜圖能夠更加具體的顯示出信號(hào)的變化趨勢(shì)和信號(hào)動(dòng)態(tài)變化過(guò)程。掃頻模式下的信號(hào)測(cè)試圖實(shí)時(shí)頻譜模式下的信號(hào)測(cè)試圖2演示信號(hào)隨時(shí)間的變化過(guò)程通過(guò)數(shù)字熒光頻譜圖和無(wú)縫瀑布圖的聯(lián)合可以展示頻譜的動(dòng)態(tài)變化過(guò)程。展示了使用實(shí)時(shí)頻譜模式對(duì)跳頻信號(hào)進(jìn)行測(cè)試的示意界面，無(wú)縫瀑布圖中可以看到頻率跳變的整個(gè)過(guò)程，而數(shù)字熒光圖可以驗(yàn)證跳頻信號(hào)質(zhì)量，同時(shí)通過(guò)打開(kāi)頻率vs時(shí)間圖，可以觀察到時(shí)域中的頻率跳變過(guò)程，配合標(biāo)記等可以簡(jiǎn)單測(cè)量出跳頻速率和跳頻帶寬等參數(shù)。頻率設(shè)置：在源關(guān)閉狀態(tài)可通過(guò)鼠標(biāo)選中液晶屏的頻率編輯框設(shè)置頻率。頻率設(shè)置范圍是40Hz～70Hz，分辨率為0.0001Hz 。超出范圍將會(huì)自動(dòng)按頻率的值或者值輸出頻率值。也可通過(guò)面板按鍵編輯器進(jìn)行頻率設(shè)置：對(duì)交流源的頻率信號(hào)進(jìn)行調(diào)節(jié)。按鍵編輯器顯示為F=××.××××Hz；若交流源處于關(guān)閉狀態(tài)，則打開(kāi)并輸出交流源，源幅度為量限幅度。光標(biāo)指示當(dāng)前欲調(diào)節(jié)細(xì)度，按【←】鍵可左移光標(biāo)，按【→】鍵可右移光標(biāo)。確定好調(diào)節(jié)細(xì)度后旋轉(zhuǎn)編碼器可對(duì)頻率信號(hào)進(jìn)行升/降調(diào)節(jié)

不同的體系對(duì)精度的要求不一樣。單體電池OCV曲線及其電壓采集精度要求對(duì)于LMO/LTO電池，單體電壓采集精度只需達(dá)到10mV。對(duì)于LiFePO4/C電池，單體電壓采集精度需要達(dá)到1mV左右。但目前單體電池的電壓采集精度多數(shù)只能達(dá)到5mV。1.2采樣頻率與同步電池系統(tǒng)信號(hào)有多種，而電池管理系統(tǒng)一般為分布式，信號(hào)采集過(guò)程中，不同控制子板信號(hào)會(huì)存在同步問(wèn)題，會(huì)對(duì)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)算法產(chǎn)生影響。設(shè)計(jì)BMS時(shí)，需要對(duì)信號(hào)的采樣頻率和同步精度提出相應(yīng)的要求。

直流標(biāo)準(zhǔn)源參數(shù)操作

當(dāng)用鼠標(biāo)選中標(biāo)準(zhǔn)源視窗中〖交直流〗單選按鈕的〖直流〗選項(xiàng)時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)源視窗將處于直流標(biāo)準(zhǔn)源狀態(tài)。此時(shí)所有交流源參數(shù)將處于變灰無(wú)效狀態(tài)。僅直流源參數(shù)可進(jìn)行操作。

在直流標(biāo)準(zhǔn)源輸出前可以對(duì)直流標(biāo)準(zhǔn)源的量限進(jìn)行設(shè)置；設(shè)置完畢，按下〖源輸出〗按鈕或【F1】鍵，HN8005B將輸出所設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)直流信號(hào)。

對(duì)于直流參數(shù)的設(shè)置與修改可以通過(guò)兩種方式:

方式一：直接使用【百分比鍵】操作。直流源將按當(dāng)前選擇的量限百分比進(jìn)行輸出。若直流源處于關(guān)閉狀態(tài)，則打開(kāi)并輸出直流源，若直流源已處于輸出狀態(tài)，則直接按量限百分比輸出相應(yīng)幅度。

晶閘管又叫可控硅，是一種在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的大功率半導(dǎo)體器件，主要并廣泛應(yīng)用于整流、逆變、調(diào)壓及開(kāi)關(guān)等方面，對(duì)可控硅性能進(jìn)行檢測(cè)，對(duì)于電控系統(tǒng)的日常維護(hù)、保證正常運(yùn)轉(zhuǎn)具有十分重要的意義。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）、陽(yáng)極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成，即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極。